三星代工厂与Anaflash合作开发嵌入式闪存IP
发布时间:2023-03-08 17:22:00 阅读量:619
据报道,嵌入式AI处理器开发商Anaflash正在与三星代工厂合作开发嵌入式闪存IP。该技术最初由明尼苏达大学的Chris Kim教授开发,Anaflash已从明尼苏达大学获得使用单多晶硅嵌入式闪存的独家许可。
Anaflash与该大学就内存计算AI进行了合作,它表示计划将非易失性存储器商业化,用于医疗可穿戴设备、无线传感器和机器人等电池供电应用。
Anaflash首席执行官兼联合创始人Seung-Hwan Song表示,闪存可以使用标准逻辑流程构建,没有任何流程开销。这使得该过程易于部署在“高级过程节点”中,而不会增加成本。
Anaflash成立了一家名为SemiBrain的全资子公司,与三星代工厂签订了开发嵌入式闪存IP的合同。Anaflash最近完成了由Mirae Asset Venture Investment和We Ventures领投的一轮融资,但没有透露融资金额。
韩国科学技术高等研究院利用Anaflash的逻辑兼容嵌入式闪存IP制造了AI芯片,该芯片将于4月23日至26日在德克萨斯州圣安东尼奥举行的定制集成电路会议上展示。
标签: 嵌入式闪存 三星 Anaflash
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